Созданы новые модели для исследования разных поверхностей

Новые модели помогут разработать механизмы для исследования разных поверхностей на субмикрометрическом уровне, что безусловно поможет понять, как распространение электронов влияет на силы притяжения дальнего действия, сообщает lenta.name.

Физик-теоретик Элад Айцнер (Elad Eizner) из Университета имени Бен-Гуриона в Израиле (англ. Ben Gurion University,) и его коллеги создали модели, которые могут изучать силы притяжения, затрагивающие атомы, расположенные в широком диапазоне миллимикронов. Исследования показывают, что эти силы зависят от электронного распространения независимо от того, проводит их поверхность или нет. В конечном счёте эти результаты могут поспособствовать проектированию минимально агрессивных поверхностных исследований.

«Бомбардирование» поверхности атомами помогает нам понять распределение электронов и структурное расположение поверхностных атомов. Авторы сосредоточили своё внимание прежде всего на силе дальнего действия, которая проходит между атомом и поверхностью и позволяет нам отличать поверхностные свойства на основе их проводимости.

Ключевым фактором в понимании поведения силы, является размер электронного облака вокруг примеси заряда в системе. Последнее зависит как от проводимости электронов, так и их распространения вдоль поверхности.

Учёные придумали одну модель, которая распространяет электронные заряды в большей части материала и ещё одну, которая распространяет заряды на поверхности материала. Они проверили свои модели на проводящих и на не проводящих поверхностях. Таким образом, исследователи смогли объяснить, почему поверхностная сила атома показывает непрерывный переход, с точки зрения проводимости между обоими типами поверхностей. Учёные обнаружили, что расстояния, сравнимые с размером распространения электронного облака и силой притяжения, помогут в различии между объёмной и поверхностной диффузии электронов.

Поэтому исследования продолжаются, так как им есть возможное применение в квантовой компьютерной технике, сосредотачивающейся на интерфейсе между различными носителями квантовой информации.