Голландские физики совершили прорыв в спинтронике

Разновидность электроники, в которой для представления информации используется не заряд, а спин электронов, сулит дальнейшее сокращение размеров микросхем и их энергопотребления, а значит и тепловыделения, что является одним из лимитирующих факторов при уплотнении чипов.

Группа учёных из института нанотехнологий университета Твента (MESA+) создала устройство, открывающее спинтронике дорогу к массовому распространению.

Для построения её элементов среди прочего необходимо обеспечить прохождение спин-поляризованного потока электронов через границу между магнитным материалом и полупроводником без потери согласованной ориентации спина у всех участников такого движения.

До сих пор такой переход удавалось осуществлять главным образом с экзотическими материалами, типа арсенида галлия.

Прорыв учёных из MESA+ заключается в двух вещах: они применили самый обычный для электронной промышленности кремний (с легирующими добавками для получения полупроводников как p-, так и n-типа), и они продемонстрировали успешное инжектирование спин-поляризованных электронов в данный материал при комнатной температуре.

Ультрамалая толщина оксидной плёнки и её качество стали ключами к работе устройства: туннелирование электронов прекрасно шло при температуре 27 °C.