Современный светодиод представляет собой достаточно сложный полупроводниковый прибор, при производстве которого используются разнообразные технологии из области физики, химии и электротехники.
Основу любого светодиода составляет светодиодный чип. В русскоязычной литературе и презентациях иногда также можно встретить слово «кристалл», которое, однако, не отражает в достаточной мере технологической сложности внутренней структуры светодиодного чипа.
Первым этапом создания светодиодного чипа является послойное выращивание определенной полупроводниковой гетероструктуры на выбранном базисном материале (подложке). Именно состав и физические свойства подобной структуры определяют длину волны излучаемого светодиодом света.
Физическое качество гетероструктуры, наличие или отсутствие внутренних дефектов и примесей коренным образом определяют эффективность светодиода и его долговечность.
В массовом производстве полупроводниковые гетероструктуры выращиваются практически исключительно методом осаждения металлоорганических соединений из газообразной фазы (MOCVD). Конкретные параметры данного технологического процесса являются наиболее охраняемым секретом любого производителя светодиодных чипов.
Компания «Оптоган» обладает оригинальными запатентованными эпитаксиальными технологиями, позволяющими выращивать структуры InGaAlN на сапфировых подложках с особо низким количеством ростовых дефектов (дислокаций).
Как это выглядит в деталях - смотрите в видео, созданном компанией "Меркатор" по заказу ОАО "РОСНАНО"
Структуры, подобные упомянутой с статье, известны давно, например, InGaAs, шире - есть структуры с переменной шириной запретной зоны - варизонные полупроводники. Метод выращивания слоёв из жидкой среды также известен давно. Скорей всего, данный материал обыкновенная реклама.
Комментарии
Тогда это было в новинку. А что сейчас?
Это любому школьнику известно.
Отрабатывали физику и технологию выращивания эпитаксиальных слоёв из газовой фазы.