Создан магнитный туннельный переход с электрическим управлением

Германские исследователи из Института физики микроструктур им. Макса Планка создали магнитный туннельный переход с электрическим управлением.

В обычном магнитном туннельном переходе ферромагнитные плёнки отделяются друг от друга тонким изолирующим барьером, через который туннелируют электроны. Направления намагничивания верхнего и нижнего слоёв задаёт внешнее магнитное поле, а вероятность туннелирования частиц при совпадении этих направлений, что важно, превышает ту же вероятность, рассчитанную в случае «встречного» намагничивания. Следовательно, у перехода появляются два переключаемых состояния с большим и малым электрическим сопротивлением, а это даёт возможность использовать его для создания энергонезависимой магниторезистивной памяти — MRAM.

Кроме того, описанная структура действует как спиновый фильтр для электронов. Такое свойство позволяет называть её одним из базовых элементов спинтроники.

В классических экспериментах с туннельными п...

Германские исследователи из Института физики микроструктур им.

Макса Планка создали магнитный туннельный переход с электрическим управлением.

В обычном магнитном туннельном переходе ферромагнитные плёнки отделяются друг от друга тонким изолирующим барьером, через который туннелируют электроны. Направления намагничивания верхнего и нижнего слоёв задаёт внешнее магнитное поле, а вероятность туннелирования частиц при совпадении этих направлений, что важно, превышает ту же вероятность, рассчитанную в случае «встречного» намагничивания. Следовательно, у перехода появляются два переключаемых состояния с большим и малым электрическим сопротивлением, а это даёт возможность использовать его для создания энергонезависимой магниторезистивной памяти — MRAM.

Кроме того, описанная структура действует как спиновый фильтр для электронов. Такое свойство позволяет называть её одним из базовых элементов спинтроники.

В классических экспериментах с туннельными п...
Читать полностью