Войти в аккаунт
Хотите наслаждаться полной версией, а также получить неограниченный доступ ко всем материалам?

Intel выпустила 4D-транзистор

Intel выпустила 4D-транзистор

Около полутора лет назад компания Intel громко анонсировала новый трехмерный транзистор, получивший название Tri-Gate. И стоило только объявить о грядущем переходе от 2D к 3D, многие начали задумываться, каким может быть следующий шаг в этом направлении? Естественно, в голову приходит нечто экзотическое, что можно назвать 4D-транзистором, и именно так охарактеризовала свое детище исследовательская группа из Гарвардского университета и университета Пурду. Этот транзистор, структура которого состоит из нанопроводников из арсенида галлия-индия, показывает превосходные скоростные и частотные характеристики, а особенности его структуры позволяют с полной уверенностью назвать его 4D-транзистором.

«Структура нашего транзистора — это то, к чему обязательно придет вся полупроводниковая и радиоэлектронная промышленность» — рассказывает Пеид «Питер» Йе (Peide «Peter» Ye), профессор информатики и электротехники из университета Пурду. — «К примеру, в одноэтажном здании могут находиться много людей, но, чем больше этажей, тем больше людей помещается в здании. И мы перенесли эту идеологию в наш новый транзистор.

В преддверии наступающего Нового Года появление нового транзистора кажется несколько символическим, ведь форма его конструкции весьма напоминает новогоднюю елку, силуэт которой составлен из трех нанопроводников. Но, к сожалению, изображения нового транзистора, которые будут делаться с помощью электронного микроскопа, станут доступны только через некоторое непродолжительное время.

Помимо уникальной конструкции транзистора, одной из инноваций является покрытие нанопроводником изоляционным слоем, сделанным из комбинации алюмината лантана и окиси алюминия. Применение такого экзотического диэлектрического материала позволило использовать нанопроводники из арсенида индия-галлия, полупровдниковых материалов III-V группы, вместо традиционного кремния.

Объединение элементов III и V групп периодической системы элементов, таких как индий, галлий и мышьяк, начиная с 1960-х рассматривается учеными как замена кремнию в полупроводниковой технике. Привлекательность таких гибридных материалов заключается в том, что они могут пропустить через себя электроны с большей скоростью и меньшим сопротивлением, нежели кремний.

Источник: itword.org
{{ rating.votes_against }} {{ rating.rating }} {{ rating.votes_for }}

Комментировать

осталось 1800 символов
Свернуть комментарии

Все комментарии (0)

×
Заявите о себе всем пользователям Макспарка!

Заказав эту услугу, Вас смогут все увидеть в блоке "Макспаркеры рекомендуют" - тем самым Вы быстро найдете новых друзей, единомышленников, читателей, партнеров.

Оплата данного размещения производится при помощи Ставок. Каждая купленная ставка позволяет на 1 час разместить рекламу в специальном блоке в правой колонке. В блок попадают три объявления с наибольшим количеством неизрасходованных ставок. По истечении периода в 1 час показа объявления, у него списывается 1 ставка.

Сейчас для мгновенного попадания в этот блок нужно купить 1 ставку.

Цена 10.00 MP
Цена 40.00 MP
Цена 70.00 MP
Цена 120.00 MP
Оплата

К оплате 10.00 MP. У вас на счете 0 MP. Пополнить счет

Войти как пользователь
email
{{ err }}
Password
{{ err }}
captcha
{{ err }}
Обычная pегистрация

Зарегистрированы в Newsland или Maxpark? Войти

email
{{ errors.email_error }}
password
{{ errors.password_error }}
password
{{ errors.confirm_password_error }}
{{ errors.first_name_error }}
{{ errors.last_name_error }}
{{ errors.sex_error }}
{{ errors.birth_date_error }}
{{ errors.agree_to_terms_error }}
Восстановление пароля
email
{{ errors.email }}
Восстановление пароля
Выбор аккаунта

Указанные регистрационные данные повторяются на сайтах Newsland.com и Maxpark.com

Перейти на мобильную версию newsland