В России создана 100%-отечественная крупная линейка силовой электроники

angstrem_igbt_2016_0.jpgОтечественный производитель микроэлектроники «Ангстрем» представил большой ассортимент коммерческих продуктов для гражданского сектора, разработанных в рамках программы по импортозамещению в 2014-2016 годах. Впервые российская компания выпустила на гражданский рынок линейку силовой электроники, образцы которой являются конкурентными мировым производителям не только по характеристикам, но и по цене.

Работников «Ангстрема» по-настоящему можно назвать героями российской техносферы этого года: они создали более 300 наименований модулей и транзисторов, востребованных в жилищно-коммунальном хозяйстве, строительстве и общественном транспорте. Разработали всё сами и полностью – от кристального производства до сборки в корпус. Речь идет о расширенном ряде силовых IGBT- и FRD-модулей, а также силовых IGBT/MOSFET-транзисторов. Для чего они нужны?

Основными потребителями силовых модулей на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) и быстровосстанавливающихся диодов (FRD) являются производители общественного транспорта на электрической тяге, а также компании, эксплуатирующие его. Большое количество IGBT-модулей используется в сфере ЖКХ, а именно в лифтовом оборудовании, системах водо- и теплоснабжения) и энергетике.

Особо стоит выделить тот факт, что российские разработчики ориентировались на самые массовые в применении силовые IGBT-модули. В настоящее время уже можно заказать на «Ангстреме» масштабную линейку модулей в диапазоне напряжений от 600В до 1700В и максимальных токов от 75А до 600А, имеющих различные конфигурации: полумост, чоппер, одиночный ключ. Новая российская силовая электроника выполнена в наиболее распространённых корпусах 34 и 62 мм: MPP-34, MPP-62, MPP-62-2. Все корпуса выполнены по международным стандартам, применяемым при проектировании силовых модулей.

Добавим, что русским удалось превзойти иностранную продукцию по повышенной устойчивости к короткому замыканию IGBT-кристаллов и «мягким» характеристикам переключения комплектных FRD-диодов. Продукция нового поколения может реально конкурировать с мировыми производителями в своей отрасли.

2017 год является ключевой точкой в развитии данного важного для России проекта: «Ангстрем» объявил о запуске через несколько месяцев серийного производства новых технологических процессов для MOSFET и IGBT-кристаллов, и начале массового выпуска высоковольтных IGBT-кристаллов и модулей. Таким образом, в нашей силовой электронике наметился хороший прогресс после многолетнего провала, связанного с насыщением рынка иностранными продуктами и отсутствия новых российских разработок.

Источник: http://www.tehnoomsk.ru/node/2377

155
14748
40